光催化氧化设备技术原理

光催化氧化设备处理废气效果好，用途广，采用科学的技术原理来进行处理，具体处理公式和内容看详情介绍。

光催化氧化设备技术原理：

当能量高于半导体禁带宽度的光子照射半导体时，半导体的价带电子发生带间跃迁，从价带跃迁到导带，从而产生带正电荷的光致空穴和带负电荷的光生电子。光致空穴的强氧化能力和光生电子的还原能力导致半导体光催化剂引发一系列光催化反应的发生。

半导体光催化氧化的羟基自由基反应机理，得到大多数学者的认同。即当Ti02等半导体粒子与水接触时，半导体表面产生高密度的羟基。由于羟基的氧化电位在半导体的价带位置以上，而且又是表面高密度的物种，因此光照射半导体表面产生的空穴先被表面羟基捕获，产生强氧化性的羟基自由基:

Ti02—hv—e-+Ti02(h+)

Ti02(h+)+H20——Ti02+H++·OHTi02(h+)+OH-——Ti02+·OH

当有氧分子存在时，吸附在催化剂表面的氧捕获光生电子，也可以产生羟基自由基:02+nTi02(e-)——nTi02+·02-

02+Ti02(e-)+2H20——Ti02+H202+20H-H202+Ti02(e-)一Ti02+OH-+·OH

光生电子具有很强的还原能力，可以还原金属离子:Mn++nTi02(e-)——MO+nTi02 [1]

光催化原理

是基于光催化剂在紫外线照射下具有的氧化还原能力而净化污染物。光催化技术作为一种环境友好型环境净化技术，对室内空气质量的改善已得到行业学术界的认可。

我公司提供的光催化氧化设备采用科学氧化技术，破单一体系的反应局限，在整个反应体系中，有两种氧化能力强的氧化剂—O3和·OH参与反应，使得脱臭效果好，恶臭气体矿化程度高，可无害化排放，无二次污染。真正的源头厂家。公司网址：www.huakangcc.com